System and method for direct write to mlc memory

Système et procédé d'écriture directe sur mémoire mlc

Abstract

Apparatus and method for writing data directly to multi-level cell (MLC) memory without folding or transferring of the data from single-level cell (SLC) memory to MLC memory are disclosed. A memory device, which includes the SLC memory and MLC memory, receives data from a host device. The memory device programs the data (such as the lower/middle/upper pages) from volatile memory into MLC memory, without transferring data from SLC memory. The memory device also stores part of the data (such as the lower/middle pages) in SLC memory as a backup in case of error. In particular, if the data is not properly programmed into the MLC memory, the data in SLC memory is used to program the data a second time into the MLC memory.
L'invention concerne un appareil et un procédé pour écrire des données directement sur une mémoire à cellules multiniveaux (MLC) sans pliage ni transfert des données de la mémoire à cellules à niveau unique (SLC) vers la mémoire MLC. Un dispositif de mémoire, qui comprend la mémoire SLC et la mémoire MLC, reçoit des données d'un dispositif hôte. Le dispositif de mémoire programme les données (telles que les pages inférieures/intermédiaires/supérieures) de la mémoire volatile dans la mémoire MLC, sans transférer les données de la mémoire SLC. Le dispositif de mémoire stocke également une partie des données (telles que les pages inférieures/intermédiaires) dans la mémoire SLC en tant que sauvegarde en cas d'erreur. En particulier, si les données ne sont pas correctement programmées dans la mémoire MLC, les données dans la mémoire SLC sont utilisées pour programmer les données une seconde fois dans la mémoire MLC.

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Patent Citations (1)

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    US-8811091-B2August 19, 2014SanDisk Technologies, Inc.Non-volatile memory and method with improved first pass programming

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